1.

国際会議録
国際会議録
1. Hetero-Epitaxial Growth of 3C-SiC on SOI using HMDS
Aboughe-Nze, P. ; Planes, N. ; Ravetz, M. ; Fraisse, B. ; Contreras, S. ; Vicente, P. ; Chassagne, T. ; Monteil, Y. ; Rushworth, S. ; Camassel, J.
出版情報: Semiconductor wafer bonding : science, technology, and applications : proceedings of the international symposia.  pp.92-99,  1999.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 99-35
2.

国際会議録
国際会議録
2. Crystal Growth of HgS in the Cinnabar Structure under High Gas Pressure Conditions: Physical Characterization
Tedenac, J.C. ; Record, M.C. ; Ayral-Marin, R.M. ; Teisseyre, H. ; Bockowski, M. ; Lyapin, S. ; Vicente, P. ; Jun, J.
出版情報: Proceedings of the Symposium on Logic and Functional Devices for Photonics and the seventeenth State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors (SOTAPOCS XVII).  pp.246-254,  1993.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 1993-10