1.

国際会議録
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1. Rate-Limiting Step of SiO2 Etching Reaction in Fluorocarbon Plasma Investigated by Electron Spin Resonance and X-Ray Photoelectron Spectroscopy
OkigaWa, M. ; Matsui, M. ; Tatsumi, T. ; Sekine, M.
出版情報: Plasma etching processes for sub-quarter micron devices : proceedings of the international symposium.  pp.99-104,  1999.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 99-30
2.

国際会議録
国際会議録
2. Activity enhancement by trimethylsilylation of Ti-containing mesoporous molecular sieve catalysts for oxidation of alkenes and alkanes with H2O2
Tatsumi, T. ; Koyano, K. A.
出版情報: Science and technology in catalysis 1998 : proceedings of the Third Tokyo Conference on Advanced Catalytic Science and Technology, Tokyo, July 19-24, 1998.  pp.221-,  1999.  Tokyo.  Elsevier
シリーズ名: Studies in surface science and catalysis
シリーズ巻号: 121
3.

国際会議録
国際会議録
3. Ultrathin Oxide Film Formation Using Radical Oxygen in a UHV System
Watanabe, K. ; Kimura, S. ; Tatsumi, T.
出版情報: Ultrathin SiO[2] and high-K materials for USLI gate dielectrics : symposium held April 5-8, 1999, in San Francisco, California, U.S.A..  pp.27-,  1999.  Warrendale, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 567
4.

国際会議録
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4. Phenyl Silica Glass for Formation of Porous Dielectric Film
Endo, K. ; Shinoda, K. ; Tatsumi, T.
出版情報: Low-dielectric constant materials V : symposium held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A..  pp.49-54,  1999.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 565