1.
国際会議録
T. Tezuka ; T. Irisawa ; E. Toyoda ; N. Sugiyama ; S. Takagi
出版情報:
Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS 4 : new materials, processes and equipment . pp.263-274, 2008. Pennington, N.J.. Electrochemical Society
シリーズ名:
ECS transactions
シリーズ巻号:
13(1)
2.
国際会議録
S. Takagi ; T. Irisawa ; T. Tezuka ; S. Nakaharai ; T. Numata
出版情報:
ULSI process integration 5 . pp.61-74, 2007. Pennington, N.J.. Electrochemical Society
シリーズ名:
ECS transactions
シリーズ巻号:
11(6)
3.
国際会議録
S. Takagi ; N. Taoka ; S. Nakaharai ; K. Ikeda ; T. Tezuka
出版情報:
SiGe and Ge, materials, processing, and devices . pp.823-829, 2006. Pennington, N.J.. Electrochemical Society
シリーズ名:
ECS transactions
シリーズ巻号:
3(7)
4.
国際会議録
N. Sugiyama ; T. Tezuka ; T. Irisawa ; K. Usuda ; Y. Moriyama
出版情報:
SiGe and Ge, materials, processing, and devices . pp.1015-1022, 2006. Pennington, N.J.. Electrochemical Society
シリーズ名:
ECS transactions
シリーズ巻号:
3(7)
5.
国際会議録
T. Irisawa ; T. Numata ; T. Tezuka ; K. Usuda ; N. Hirashita
出版情報:
SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices . pp.367-379, 2008. Pennington, NJ. Electrochemical Society
シリーズ名:
ECS transactions
シリーズ巻号:
16(10)