1.

国際会議録
国際会議録
1. Effect of the doping and the Al content on the microstructure and morphology of thin Alx Ga1-xN layers grown by MOCVD
Mazur, J. H. ; Benamara, M. ; Liliental-Weber, Z. ; Swider, W. ; Washburn, J. ; Eiting, C. J. ; Dupuis, R. D.
出版情報: GaN and related alloys - 1999 : symposium held November 28-December 3, 1999, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.W3.77.1-,  2000.  Warrendale, Pa..  MRS-Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 595
2.

国際会議録
国際会議録
2. TEM Study Of High Quality GaN Grown By OMVPE Using An Intermediate Layer
Benamara, Mourad ; Liliental-Weber, Z. ; Kellermann, S. ; Swider, W. ; Washburn, J. ; Mazur, J.H. ; Bourret-Courchesne, E.D.
出版情報: Wide-bandgap electronic devices.  pp.T6.14-,  2001.  Warrendale, PA..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 622
3.

国際会議録
国際会議録
3. The role of the multi buffer layer technique on the structural quality of GaN
Benamara, M. ; Liliental-Weber, Z. ; Mazur, J. H. ; Swider, W. ; Washburn, J. ; Iwaya, M. ; Akasaki, I. ; Amano, H.
出版情報: GaN and related alloys - 1999 : symposium held November 28-December 3, 1999, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.W5.8.1-,  2000.  Warrendale, Pa..  MRS-Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 595
4.

国際会議録
国際会議録
4. Mg, segregation, difficulties of P-doping in GaN
Liliental-Weber, Z. ; Benamara, M. ; Swider, W. ; Washburn, J. ; Grzegory, I. ; Porowski, S. ; Dupuis, R. D. ; Eiting, C. J.
出版情報: GaN and related alloys - 1999 : symposium held November 28-December 3, 1999, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.W9.7.1-,  2000.  Warrendale, Pa..  MRS-Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 595