1.

国際会議録
国際会議録
1. New Developments in III-Nitride Material and Device Applications
Razeghi,M. ; Saxler,A. ; Kung,P. ; Walker,D. ; Zhang,X. ; Kim,K.S. ; Vydyanath,H.R. ; Solomon,J. ; Ahoujja,M. ; Mitchel,W.C.
出版情報: Physics of - Semiconductor Devices -.  Part 1  pp.277-284,  1998.  New Delhi.  Narosa Publishing House
シリーズ名: Proceedings of SPIE - the International Society for Optical Engineering
シリーズ巻号: 3316
2.

国際会議録
国際会議録
2. Structural Characterization of SiC Crystals Grown by Physical Vapor Transport
Sanchez,E.K. ; Heydemann,V.D. ; Rohrer,G.S. ; Skowronski,M. ; Solomon,J. ; Capano,M.A. ; Mitchel,W.C.
出版情報: Silicon carbide, III-nitrides and related materials, ICSCIII-N'97 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials, Stockholm, Sweden, September 1997.  Part1  pp.433-436,  1998.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 264-268
3.

国際会議録
国際会議録
3. GaN grown using trimethylgallium and triethylgallium
Saxler,A. ; Kung,P. ; Zhang,X. ; Walker,D. ; Solomon,J. ; Mitchel,W.C. ; Razeghi,M.
出版情報: Defects in semiconductors, icds-19 : proceedings of the 19th International Conference on Defects in Semiconductors, Aveiro, Portugal, July 1997.  Part2  pp.1081-1086,  1997.  Zurich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 258-263