1.

国際会議録
国際会議録
1. Electrical Characterization of Semi-Insulating 6H-SiC Substrates
Sanchez, E. ; Wan, J. ; Wang, S. ; Loboda, M. ; Li, C. ; Skowronski, M.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2003 : ICSCRM, 2003 : proceedings of the 10th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003, Lyon, France, October 5-10, 2003.  pp.669-672,  2004.  Uetikon-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 457-460
2.

国際会議録
国際会議録
2. Approaches to Stabilizing the Forward Voltage of Bipolar SiC Devices
Sumakeris, J.J. ; Das, M. ; Hobgood, H.McD. ; Mueller, S.G. ; Paisley, M.J. ; Ha, S. ; Skowronski, M. ; Palmour, J.W. ; Carter, C.H., Jr.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2003 : ICSCRM, 2003 : proceedings of the 10th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003, Lyon, France, October 5-10, 2003.  pp.1113-1116,  2004.  Uetikon-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 457-460
3.

国際会議録
国際会議録
3. Chemi-Mechanical Polishing of On-Axis Semi-Insulating SiC Substrates
Heydemann, V.D. ; Everson, W.J. ; Gamble, R.D. ; Snyder, D.W. ; Skowronski, M.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2003 : ICSCRM, 2003 : proceedings of the 10th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003, Lyon, France, October 5-10, 2003.  pp.805-808,  2004.  Uetikon-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 457-460
4.

国際会議録
国際会議録
4. Growth of Bulk SiC by Halide Chemical Vapor Deposition
Fanton, M. ; Skowronski, M. ; Snyder, D. ; Chung, H.J. ; Nigam, S. ; Weiland, B. ; Huh, S.W.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2003 : ICSCRM, 2003 : proceedings of the 10th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003, Lyon, France, October 5-10, 2003.  pp.87-90,  2004.  Uetikon-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 457-460