1.

国際会議録
国際会議録
1. Bonding of Hydrogen-Terminated Silicon: Thermal Evolution of the Interfacial Properties
Ploessl, A. ; Scholz, R. ; Schulze, H.-J. ; Hopfe, S.
出版情報: Semiconductor wafer bonding : science, technology, and applications : proceedings of the international symposia.  pp.224-231,  1999.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 99-35
2.

国際会議録
国際会議録
2. Novel method for the investigation of lateral resistivity variations in power devices with high spatial resolution
Schulze, H.-J. ; Luedge, A. ; Riemann, H.
出版情報: ALTECH 95 : analytical techniques for semiconductor materials and process characterization II : proceedings of the Satellite Symposium to ESSDERC 95, The Hague, The Netherlands.  pp.109-120,  1995.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 95-30
3.

国際会議録
国際会議録
3. Influence of D-Defects in FZ Material Used for Power Devices and Their Impact on Lifetime and Leakage Current
Schulze, H.-J.
出版情報: Proceedings of the Fourth International Symposium on High Purity Silicon.  pp.289-304,  1996.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 96-13