1.

国際会議録
国際会議録
1. Hot Spots in 4H SiC P+N Diodes Studied by the Optical-Beam-Induced-Current Technique
Frischholz, M. ; Nordgren, K. ; Rottner, K. ; Seidel, J. ; Schoner, A. ; Bakowski, M.
出版情報: Wide-bandgap semiconductors for high power, high frequency, and high temperature : symposium held April 13-15, 1998, San Francisco, California, U.S.A..  pp.157-,  1998.  Warrendale, Penn..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 512
2.

国際会議録
国際会議録
2. Characterization of Deep Level Defects in 4H and 6H SiC Via DLTS, SIMS and MeV E-Beam Irradiation
Doyle, J. P. ; Aboelfotoh, M. O. ; Linnarsson, M. K. ; Svensson, B. G. ; Schoner, A. ; Nordell, N. ; Harris, C. ; Lindstrom, J. L. ; Janzen, E. ; Hemmingsson, C.
出版情報: III-Nitride, SiC, and Diamond Materials for Electronic Devices : symposium held April, 1996, San Francisco, California, U.S.A..  pp.519-,  1996.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 423
3.

国際会議録
国際会議録
3. OBIC Measurements on 6H-SiC Schottky Diodes
Rottner, K. ; Schoner, A. ; Frischholz, M. ; Helbig, R.
出版情報: III-Nitride, SiC, and Diamond Materials for Electronic Devices : symposium held April, 1996, San Francisco, California, U.S.A..  pp.51-,  1996.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 423