1.

国際会議録
国際会議録
1. Interface Interstitial Recombination Rate and the Reverse Short Channel Effect
Rubin, M. E. ; Saha, S. ; Lutze, J. ; Nouri, F. ; Scott, G. ; Pramanik, D.
出版情報: Si front-end processing - physics and technology of dopant-defect interactions : symposium held April 6-9, 1999, San Francisco, California, U.S.A..  pp.213-,  1999.  Warrendale, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 568
2.

国際会議録
国際会議録
2. Effects of Inversion Layer Quantization and Polysilicon Gate Depletion on Tunneling Current of Ultrathin SiO2 Gate Material
Saha, S. ; Srinivasan, G. ; Rezvani, G. A. ; Farr, M.
出版情報: Ultrathin SiO[2] and high-K materials for USLI gate dielectrics : symposium held April 5-8, 1999, in San Francisco, California, U.S.A..  pp.275-,  1999.  Warrendale, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 567
3.

国際会議録
国際会議録
3. Hot-Carrier Effect in Submicron pMOSFETs
Saha, S. ; Yeh, C. S. ; Lindorfer, Ph. ; Luo, J. ; Nellore, U. ; Gadepally, B.
出版情報: Materials reliability in microelectronics V : symposium held April 17-21, 1995, San Francisco, California, U.S.A..  pp.21-,  1995.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 391