1.

国際会議録
国際会議録
1. CVD Epitaxial Growth of 4H-SiC on Porous SiC Substrates
Shishkin, Y. ; Ke, Y. ; Yan, F. ; Devaty, R.P. ; Choyke, W.J. ; Saddow, S.E.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.255-258,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
2.

国際会議録
国際会議録
2. Ion Implanted p+/n Diodes: Post-Implantation Annealing in a Silane Ambient in a Cold-Wall Low-Pressure CVD Reactor
Bergamini, F. ; Rao, S.P. ; Poggi, A. ; Tamarri, F. ; Saddow, S.E. ; Nipoti, R.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.819-822,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
3.

国際会議録
国際会議録
3. Post-Implantation Annealing in a Silane Ambient Using Hot-Wall CVD
Rao, S.P. ; Bergamini, F. ; Nipoti, R. ; Hoff, A.M. ; Oborina, E. ; Saddow, S.E.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.839-842,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
4.

国際会議録
国際会議録
4. Growth of 3C-SiC on Si Molds for MEWS Applications
Reyes, M. ; Waits, M. ; Harvey, S. ; Shishkin, Y. ; Geil, B.R. ; Wolan, J.T. ; Saddow, S.E.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.307-310,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
5.

国際会議録
国際会議録
5. SiC Pore Surfaces: Surface Studies of 4H-SiC(1-102) and 4H-SiC(-110-2)
Starke, U. ; Lee, W.Y. ; Coletti, C. ; Saddow, S.E. ; Devaty, R.P. ; Choyke, W.J.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.677-680,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
6.

国際会議録
国際会議録
6. EPR Studies of SiCISiO2 Interfaces in n-type 4H-and 6H- Oxidized Porous SIC
von Bardeleben, H.J. ; Cantin, J.L. ; Mynbaeva, M. ; Saddow, S.E. ; Shishkin, Y. ; Devaty, R.P. ; Choyke, W.J.
出版情報: Silicon nitride and silicon dioxide thin insulating films VII : proceedings of the international symposium.  pp.39-54,  2003.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2003-2
7.

国際会議録
国際会議録
7. High Epitaxial Growth Rate of 4H-SiC Using Horizontal Hot-Wall CVD
Myers, R.L. ; Shishkin, Y. ; Kordina, O. ; Haselbarth, I. ; Saddow, S.E.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.187-190,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
8.

国際会議録
国際会議録
8. Scanning Acoustic Microscopy in Porous SiC
Ostapenko, S. ; Smith, M.C.D. ; Tarasov, I. ; Wolan, J.T. ; Mynbaeva, M. ; Goings, J. ; McKeon, J.C.P. ; Saddow, S.E.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.687-690,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
9.

国際会議録
国際会議録
9. Spatially Resolved Photoluminescence and Thermally Stimulated Luminescence in Semi-Insulating SiC Wafers
Suleimanov, Yu.M. ; Lulu, S. ; Tarasov, I. ; Ostapenko, S. ; Saddow, S.E. ; Torchinska, T.V. ; Heydemann, V.D. ; Roth, M.D. ; Kordina, O. ; MacMillan, M.F.
出版情報: Silicon carbide 2002 -- materials, processing and devices : symposium held December 2-4, 2002, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.103-108,  2003.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 742
10.

国際会議録
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10. Self-Assembled Ge Quantum Dots on SiC Substrates Grown by UHV-CVD
Calmes, C. ; Thanh, V.Le ; Bouchier, D. ; Saddow, S.E. ; Yam, V. ; Debarre, D. ; Laval, R. ; Clerc, C.
出版情報: Silicon carbide 2002 -- materials, processing and devices : symposium held December 2-4, 2002, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.143-150,  2003.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 742