1.

国際会議録
国際会議録
1. Contact Improvement for Carbon Nanotubes Deposited by Dielectrophoresis
J. Leon ; A. R. Vaz ; A. Flacker ; S. A. Moshkalev ; M. B. de Moraes ; J. W. Swart
出版情報: Microelectronics Technology and Devices : SBMICRO 2007.  pp.213-218,  2007.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 9(1)
2.

国際会議録
国際会議録
2. GaAs and AlGaAs reactive ion etching in SiCl4/Ar gas mixtures for HEMT applications
A. M. Nunes ; S. A. Moshkalev ; P. J. Tatsch ; C. A. Duarte ; G. M. Gusev
出版情報: Microelectronics Technology and Devices : SBMICRO 2007.  pp.169-178,  2007.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 9(1)
3.

国際会議録
国際会議録
3. The Influence of Substrates on the Carbon Nanotube Growth Process
M. R. de Aguiar ; C. Verissimo ; S. A. Moshkalev ; J. W. Swart
出版情報: Microelectronics Technology and Devices : SBMICRO 2007.  pp.219-226,  2007.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 9(1)
4.

国際会議録
国際会議録
4. Electrical Characterization of Platinum Thin Films Deposited by Focused Ion Beam
M. M. da Stiva ; A. R. Vaz ; S. A. Moshkalev ; J. W. Swart
出版情報: Microelectronics Technology and Devices : SBMICRO 2007.  pp.235-242,  2007.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 9(1)