1.

国際会議録
国際会議録
1. TRACE ANALYSIS OF SILICON SURFACES USING ANGLE- DEPENDENT TOTAL-REFLECTION X-RAY FLUORESCENCE
Streckfuss, N. ; Frey, L. ; Pichler, P. ; Kuegel, M. ; Zielonka, G. ; Ryssel, H.
出版情報: Proceedings of the Satellite Symposium to ESSDERC 93 Grenoble/France : crystalline defects and contamination: their impact and control in device manufacturing.  pp.222-231,  1993.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 1993-15
2.

国際会議録
国際会議録
2. Kinetics of Chemical Vapor Depostion of Titanium Nitride
Popovska, N. ; Poscher, S. ; Tichy, P. ; Emig, G. ; Ryssel, H.
出版情報: Chemical vapor deposition : proceedings of the Fourteenth International Conference and EUROCVD-11.  pp.592-599,  1997.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 97-25
3.

国際会議録
国際会議録
3. INTERACTION BETWEEN Co AND SiO2 DURING ION-BEAM MIXING AND RAPID THERMAL ANNEALING
Dehm. C. ; Kasko, I. ; Burte, E. P. ; Ryssel, H.
出版情報: Advanced metallization and processing for semiconductor devices and circuits--II : symposium held April 27-May 1, 1992, San Francisco, California, U.S.A..  pp.917-922,  1992.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 260
4.

国際会議録
国際会議録
4. INFLUENCE OF LOW-DOSE ION-BEAM MIXING ON GoSi2 FORMATION
Kasko, I. ; Dehm, C. ; Ryssel, H.
出版情報: Materials modification by energetic atoms and ions : symposium held April 28-30, 1992, San Francisco, California, U.S.A..  pp.289-294,  1992.  Pittsburgh, PA.  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 268
5.

国際会議録
国際会議録
5. AN INVESTIGATION OF VACANCY CONCENTRATIONS IN BULK SILICON
Zimmermann, Horst ; Ryssel, H.
出版情報: Defect engineering in semiconductor growth, processing and device technology : symposium held April 26-May 1, 1992, San Francisco, California, U.S.A..  pp.31-36,  1992.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 262
6.

国際会議録
国際会議録
6. Influence of RTP on Vacancy Concentrations
Jacob, M. ; Pichler, P. ; Wohs, M. ; Ryssel, H. ; Falster, R.
出版情報: Semiconductor process and device performance modeling : symposium held December 2-3, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.129-,  1998.  Warrendale, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 490
7.

国際会議録
国際会議録
7. On the Influence of Boron-Interstitial Complexes on Transient Enhanced Diffusion
Stiebel, D. ; Pichler, P. ; Ryssel, H.
出版情報: Si front-end processing - physics and technology of dopant-defect interactions : symposium held April 6-9, 1999, San Francisco, California, U.S.A..  pp.141-,  1999.  Warrendale, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 568
8.

国際会議録
国際会議録
8. SIMULATION OF BURIED LAYER EXPERIMENTS CONTAIN- ING ALL FOUR DOPANT SPECIES
Ghaderi, K. ; Hobler, G. ; Budil, M. ; Poetzl, H. ; Pichler, P. ; Ryssel, H. ; Hansch, W. ; Eisele, I. ; Tian, C. ; Stingeder, G.
出版情報: Proceedings of the Seventh International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.613-624,  1994.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 1994-10
9.

国際会議録
国際会議録
9. A STUDY OF VACANCY DISTRIBUTIONS IN SILICON DURING TECHNOLGICAL PROCESSES
Zimmermann, H. ; Ryssel, H.
出版情報: Proceedings of the Third International Symposium on Process Physics and Modeling in Semiconductor Technology.  pp.159-166,  1993.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 1993-6