1.

国際会議録
国際会議録
1. MATERIAL PROPERTIES OF GaAs-ON-Si AND FABRICATION OF DIGITAL INTEGRATED CIRCUITS
Chand, N. ; Ren, F. ; Chu, S.N.G. ; Sergent, A.M. ; Boone, T. ; Lang, D.V.
出版情報: Heteroepitaxy on silicon : fundamentals, structure, and devices : symposium held April 5-8, 1988, Reno, Nevada, U.S.A..  pp.205-212,  1988.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 116
2.

国際会議録
国際会議録
2. HIGH 2DEG MOBILITY AND FABRICATION OF HIGH PERFORMANCE A1GaAs/GaAs SELECTIVELY DOPED HETEROSTRUCTURE TRANSISTORS AND RING OSCILLATORS ON Si SUBSTRATES
Chand, Naresh ; Ren, F. ; Van der Ziel, J. P. ; Chen, Y. K.
出版情報: III-V heterostructures for electronic/photonic devices : symposium held April 24-27, 1989, San Diego, California, U.S.A..  pp.287-296,  1989.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 145