1.

国際会議録
国際会議録
1. *STRUCTURAL STUDIES OF METAL-SEMICONDUCTOR INTERFACES WITH HIGH-RESOLUTION ELECTRON MICROSCOPY
Gibson, J. M. ; Tung, R. T. ; Poate, J. M.
出版情報: Defects in semiconductors II : symposium held November 1982 in Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.395-410,  1983.  New York.  North-Holland
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 14
2.

国際会議録
国際会議録
2. THE GROWTH OF EPITAXIAL NiSi2 SINGLE CRYSTALS ON SILICON BY THE USE OF TEMPLATE LAYERS
Teng, R. T. ; Gibson, J. M. ; Poate, J. M.
出版情報: Defects in semiconductors II : symposium held November 1982 in Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.435-440,  1983.  New York.  North-Holland
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 14
3.

国際会議録
国際会議録
3. SEGREGATION AND CRYSTALLIZATION PHENOMENA IN GERMANIUM
Clark, G. J. ; Cullis, A. G. ; Jacobson, D. C. ; Poate, J. M. ; Thompson, M. O.
出版情報: Laser-solid interactions and transient thermal processing of materials : symposium held November 1982 in Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.303-310,  1983.  New York.  North-Holland
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 13