1.

国際会議録
国際会議録
1. Kick-Out Phenomena in Epitaxially Boron- and Aluminum-Doped 4H-SiC during Implantation and Annealing Processes
Negoro, Y. ; Kimoto, T. ; Matsunami, H. ; Pensl, G.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.843-846,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
2.

国際会議録
国際会議録
2. Electronic Raman Studies of Shallow Donors in Silicon Carbide
Pusche, R. ; Hundhausen, M. ; Ley, L. ; Semmelroth, K. ; Pensl, G. ; Desperrier, P. ; Wellmann, P.J. ; Haller, E.E. ; Ager, J.W. ; Starke, U.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.579-584,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
3.

国際会議録
国際会議録
3. New Aspects in n-type Doping of SiC with Phosphorus
Rauls, E. ; Gerstmann, U. ; Greulich-Weber, S. ; Semmelroth, K. ; Pensl, G. ; Haller, E.E.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.609-612,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
4.

国際会議録
国際会議録
4. Nitrogen Implantation - An Alternative Technique to Reduce Traps at SiC/SiO2-Interfaces
Ciobanu, F. ; Frank, T. ; Pensl, G. ; Afanas'ev, V. ; Shamuilia, S. ; Schoner, A. ; Kimoto, T.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.991-994,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529