1.

国際会議録
国際会議録
1. (6.1) 10:35 - 11:05 AM - SiGe MODFETs: Overview and Issues for Sub-100 nm Gate-Length Scaling (Invited)
Koester, S. J. ; Chu, J. O. ; Saenger, K. L. ; Ouyang, Q. C. ; Ott, J. A. ; Canaperi, D. F. ; Tornello, J. A. ; Jahnes, C. V. (IBM)
出版情報: SiGe: materials, processing, and devices : proceedings of the First international symposium.  pp.449-458,  2004.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2004-07
2.

国際会議録
国際会議録
2. (8.6) 5:55 - 6:15 PM Strained-Silcon / Silicbn- Germanium-on-Insulator for High Peformance CMOS - A Manufacturable Process for 300 MM Substrates
Reznicek, A. ; Bedell, S. W. ; Hovel, H. J. ; Fogel, K. E. ; Ott, J. A. ; Mitchell, R. M. ; Sadana, D. K. (IBM)
出版情報: SiGe: materials, processing, and devices : proceedings of the First international symposium.  pp.607-618,  2004.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2004-07