1.

国際会議録
国際会議録
1. Characterisation of 4H-SiC MOS Capacitor with a Protective Coating for Harsh Environments Applications
S.K. Roy ; J.U. Ibanez ; A.G. O'Neill ; N.G. Wright ; A.B. Horsfall
出版情報: Silicon Carbide and Related Materials 2016.  pp.327-330,  2017.  Aedermannsdorf, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 897
2.

国際会議録
国際会議録
2. Electrical Stability Impact of Gate Oxide in Channel Implanted SiC NMOS and PMOS Transistors
M.I. Idris ; M.H. Weng ; H.K. Chan ; A.E. Murphy ; D.A. Smith ; R.A.R. Young ; E.P. Ramsay ; D.T. Clark ; N.G. Wright ; A.B. Horsfall
出版情報: Silicon Carbide and Related Materials 2016.  pp.513-516,  2017.  Aedermannsdorf, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 897
3.

国際会議録
国際会議録
3. Silicon Carbide Radiation Detectors for Medical Applications
N.S. Mohamed ; M.I. Idris ; N.G. Wright ; A.B. Horsfall
出版情報: Silicon Carbide and Related Materials 2016.  pp.626-629,  2017.  Aedermannsdorf, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 897
4.

国際会議録
国際会議録
4. On Electrons Mobility in Heavily Nitrogen Doped 4H-SiC
K.V. Vasilevskiy ; S.K. Roy ; N. Wood ; A.B. Horsfall ; N.G. Wright
出版情報: Silicon Carbide and Related Materials 2016.  pp.254-257,  2017.  Aedermannsdorf, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 897