1.

国際会議録
国際会議録
1. A Novel Iridium Precursor for MOCVD
K. Kawano ; T. Furakawa ; M. Takamori ; K. Tada ; T. Yamakawa ; N. Oshima ; H. Fujisawa ; M. Shimizu
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics III.  pp.133-138,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 1(5)
2.

国際会議録
国際会議録
2. Ruthenium and Ruthenium Oxide Films Deposition by MOCVD Using Ru(DMPD)₂
K. Kawano ; H. Kosuge ; N. Oshima ; H. Funakubo
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics III.  pp.139-144,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 1(5)