1.

国際会議録
国際会議録
1. Potential Fluctuations in High-k Based Dielectric MOS Devices
Autran, J.-L. ; Munteanu, D. ; Houssa, M.
出版情報: Dielectrics in emerging technologies : proceedings of the international symposium.  pp.383-392,  2003.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2003-1
2.

国際会議録
国際会議録
2. Analysis of Non-Stationary Transport and Quantum Effects in Realistic 0.1 μm Partially-Depleted SOI Technology
Munteanu, D. ; Le Carval, G. ; Fenouillet-Bcranger, C.
出版情報: Silicon-on-Insulator Technology and Devices X : proceedings of the tenth International Symposium.  pp.199-204,  2001.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2001-3
3.

国際会議録
国際会議録
3. Electrical Modeling and Simulation of Nanoscale MOS Devices With a High-Permittivity Dielectric Gate Stack
Autran, J.L. ; Munteanu, D. ; Houssa, M. ; Bescond, M. ; Garros, X. ; Leroux, C.
出版情報: Integration of advanced micro- and nanoelectronic devices - critical issues and solutions : symposium held April 13-16, 2004, San Francisco, California, U.S.A..  pp.177-188,  2004.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 811