1.

国際会議録
国際会議録
1. Hetero-Epitaxial Growth of 3C-SiC on SOI using HMDS
Aboughe-Nze, P. ; Planes, N. ; Ravetz, M. ; Fraisse, B. ; Contreras, S. ; Vicente, P. ; Chassagne, T. ; Monteil, Y. ; Rushworth, S. ; Camassel, J.
出版情報: Semiconductor wafer bonding : science, technology, and applications : proceedings of the international symposia.  pp.92-99,  1999.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 99-35
2.

国際会議録
国際会議録
2. Initial Stages of ss-SiC Growth by Chemical Vapor Deposition on an Ultrathin SiC Buffer Layer on Si(100)
Ferro, G. ; Thevenot, V. ; Vincent, H. ; Monteil, Y. ; Bouix, J.
出版情報: Chemical vapor deposition : proceedings of the Fourteenth International Conference and EUROCVD-11.  pp.1409-1416,  1997.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 97-25
3.

国際会議録
国際会議録
3. SiC Thin Film Characterization and Stress Measurements for High-Temperature Sensors Applications
Gourbeyre, C. ; Aboughe-nze, P. ; Malhaire, C. ; Berre, M. ; Monteil, Y. ; Barbier, D.
出版情報: Materials science of microelectromechanical systems (MEMS) devices : symposium held December 1-2, 1998, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.91-96,  1999.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 546