1.

国際会議録
国際会議録
1. Low-Temperature (750℃) Selective Epitaxial Growth of Heavily Boron Doped Silicon
Miyauchi, A. ; Suzuki, T. ; Uchino, T. ; Shiba, T.
出版情報: Proceedings of the Thirteenth International Symposium on Chemical Vapor Deposition.  pp.294-299,  1996.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 96-5
2.

国際会議録
国際会議録
2. Three-Dimensional Simulation of Gas Flow in a Disk-Type Silicon Epitaxial Reactor
Miyauchi, A. ; Inoue, Y. ; Suzuki, T. ; Sakamoto, M.
出版情報: Proceedings of the Symposium on Fundamental Gas-phase and Surface Chemistry of Vapor-phase Materials Synthesis.  pp.370-375,  1998.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 98-23