1.

国際会議録
国際会議録
1. The Effect of Doping on Nitrogen Activation Energy Level in 4H-SiC
Evwaraye, A. O. ; Smith, S. R. ; Mitchel, W. C.
出版情報: Defect and impurity engineered semiconductors, II : symposium held April 13-17, 1998, San Francisco, California, U.S.A..  pp.187-,  1998.  Warrendale, Pa.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 510
2.

国際会議録
国際会議録
2. Aluminum Acceptors in Inequivalent Sites in 4H-SiC
Smith, S. R. ; Evwaraye, A. O. ; Mitchel, W. C.
出版情報: Defect and impurity engineered semiconductors, II : symposium held April 13-17, 1998, San Francisco, California, U.S.A..  pp.193-,  1998.  Warrendale, Pa.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 510
3.

国際会議録
国際会議録
3. Mid-IR Photodetectors Based on InAs/InGaSb Type-II Quantum Wells
Brown, G. J. ; Ahoujja, M. ; Szmulowicz, F. ; Mitchel, W. C. ; Lin, C. H.
出版情報: Infrared applications of semiconductors II : symposium held December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.129-,  1998.  Pittsburgh, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 484