1.

国際会議録
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1. A Detailed Reflection Grating Spectrometer Analysis of the Outflow of NGC 253
M. Bauer ; W. Pietsch ; D. Breitschwerdt ; M. Ehle ; M.J. Freyberg ; A. Read ; G. Trinchieri
出版情報: Proceedings of the X-ray universe 2005, 26-30 September 2005, El Escorial, Madrid, Spain.  pp.443-444,  2006.  Noordwijk, Netherlands.  ESA Publications Division
シリーズ名: ESA SP
シリーズ巻号: 604
2.

国際会議録
国際会議録
2. High Performance Thermosets for Microelectronics
重複しているので非表示へ(ZA00014060) 2019.5.8
出版情報: Proceedings from the ninth Meeting of the Symposium on Polymers for Microelectronics at Winterthur, May 1st, 2nd, & 3rd, 2000.  pp.677-695,  2000.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2000-37
3.

国際会議録
国際会議録
3. SiCP Selective Epitaxial Growth in Recessed Source/Drain Regions yielding to Drive Current Enhancement in n-channel MOSFET
M. Bauer ; V. Machkaoutsan ; Y. Zhang ; D. Weeks ; J. Spear
出版情報: SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices.  pp.1001-1013,  2008.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 16(10)
4.

国際会議録
国際会議録
4. Derivation of a Multi-Sensor Interferometric DEM of the Dead Sea Region
U. Marschalk ; M. Bauer ; B. Pfeiffer
出版情報: Proceedings of the 2004 Envisat & ERS Symposium, 6-10 September 2004, Salzburg, Austria.  2005.  Noordwijk, The Netherlands.  ESA Publications Division
シリーズ名: ESA SP
シリーズ巻号: 572
5.

国際会議録
国際会議録
5. Tensile Strained Selective Silicon Carbon Alloys for Recessed Source Drain Areas of Devices
M. Bauer ; D. Weeks ; Y. Zhang ; V. Machkaoutsan
出版情報: SiGe and Ge, materials, processing, and devices.  pp.187-196,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 3(7)
6.

国際会議録
国際会議録
6. Throughput Considerations for In-Situ Doped Embedded Silicon Carbon Stressor Selectively Grown into Recessed Source Drain Areas of NMOS Devices
M. Bauer ; Y. Zhang ; D. Weeks ; P. Brabant ; J. Italiano
出版情報: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS 4 : new materials, processes and equipment.  pp.287-298,  2008.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 13(1)
7.

国際会議録
国際会議録
7. Influence of Nanosized Metal Clusters on the Generation of Strong Colors and Controlling of their Properties through Physical Vapor Deposition (PVD)
R. Domnick ; M. Bauer ; S. Genov ; R. Friedel ; G. Bauer ; M. Belzner
出版情報: 49th annual technical conference proceedings, April 22-27, 2006, Washington, D.C..  pp.271-274,  2006.  Albuquerque, NM.  Society of Vacuum Coaters
シリーズ名: Annual Technical Conference of Society of Vacuum Coaters
シリーズ巻号: 49
8.

国際会議録
国際会議録
8. Defect Free Embedded Silicon Carbon Stressor Selectively Grown into Recessed Source Drain Areas of NMOS Devices
M. Bauer ; Y. Zhang ; D. Weeks ; V. Machkaoutsan ; S. Thomas
出版情報: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS 3 : new materials, processes and equipment.  pp.419-428,  2007.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 6(1)
9.

国際会議録
国際会議録
9. Low Temperature Silcore Deposition of Undoped and Doped Silicon Films
P. R. Fischer ; S. Van Aerde ; E. Oosterlaken ; B. Bozon ; P. M. Zagwnjn ; M. Bauer ; M. Yan ; W. Verweij
出版情報: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS 2: new materials, processes, and equipment.  pp.203-216,  2006.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 3(2)
10.

テクニカルペーパー
テクニカルペーパー
10. Virtual-Reality as a Future Training Medium for Civilian Flight Procedure Training
CD-ROM
出版情報: AIAA meeting papers on disc.  2008.  Reston, Va..  American Institute of Aeronautics and Astronautics
シリーズ名: AIAA Paper : AIAA Modeling and Simulation Technologies Conference
シリーズ巻号: 2008