1.

国際会議録
国際会議録
1. Phosphorus / Silicon Interstitial Annealing After Ion Implantation
Keys, P. H. ; Brindos, R. ; Krishnamoorthy, V. ; Puga-Lambers, M. ; Jones, K. S. ; Law, Mark E.
出版情報: Si front-end processing - physics and technology of dopant-defect interactions II : symposium held April 24-27, 2000, San Francisco, California, U.S.A..  pp.B6.6-,  2001.  Warrendale, PA.  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 610
2.

国際会議録
国際会議録
2. Junctions For Deep Sub-100 Nm MOS: How Far Will Ion Implantation Take Us?
Gossmann, Hans-Joachim L. ; Rafferty, Conor S. ; Keys, P. H.
出版情報: Si front-end processing - physics and technology of dopant-defect interactions II : symposium held April 24-27, 2000, San Francisco, California, U.S.A..  pp.B1.2-,  2001.  Warrendale, PA.  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 610