1.

国際会議録
国際会議録
1. Electronic Properties of Thermally Oxidized Single-Domain 3C-SiC/6H-SiC Grown by Vapour-Liquid-Solid Mechanism
K.K. Lee ; G. Pensl ; M. Soueidan ; G. Ferro
出版情報: Silicon carbide and related materials 2006 : ECSCRM 2006, Proceedings of the 6th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Newcastle upon Tyne, UK, September 2006.  pp.505-508,  2007.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 556-557
2.

国際会議録
国際会議録
2. Hall Effect and Admittance Measurements of n-Channel 6H-SiC MOSFETs
K.K. Lee ; M. Laube ; T. Ohshima ; H. Itoh ; G. Pensl
出版情報: Silicon carbide and related materials 2006 : ECSCRM 2006, Proceedings of the 6th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Newcastle upon Tyne, UK, September 2006.  pp.791-794,  2007.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 556-557