1.

国際会議録
国際会議録
1. ZINC DIFFUSION IN GaAs-A1GaAs HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR STRUCTURES
Hobson, W. S. ; Pearton, S. J. ; Jordan, A. S.
出版情報: Epitaxial heterostructures : symposium held April 16-19, 1990, San Francisco, California, U.S.A..  pp.321-326,  1990.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 198
2.

国際会議録
国際会議録
2. IMPROVEMENT OF OHMIC CONTACTS ON GaAs WITH IN-SITU CLEANING
Ren, F. ; Pearton, S. J. ; Fullowan, T. R. ; Hobson, W. S. ; Chu, S. N. G. ; Emerson, A. B.
出版情報: Advanced III-V compound semiconductor growth, processing and devices : symposium held Decmber[i.e. December] 2-5, 1991, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.417-424,  1992.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 240
3.

国際会議録
国際会議録
3. USE OF Pt GATE METALLIZATION TO REDUCE GATE LEAKAGE CURRENT IN GaAs MESFETs
Ren, F. ; Emerson, A. B. ; Pearton, S. J. ; Hobson, W. S. ; Fullowan, T. R. ; Lothian, J.
出版情報: Advanced III-V compound semiconductor growth, processing and devices : symposium held Decmber[i.e. December] 2-5, 1991, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.409-416,  1992.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 240
4.

国際会議録
国際会議録
4. ION IMPLANTATION DOPING OF InGaP, InGaAs, AND InAIAl
Pearton, S. J. ; Kuo, J. M. ; Hobson, W. S. ; Hailemarian, E. ; Ren, F. ; Katz, A. ; Perley, A. P.
出版情報: Advanced III-V compound semiconductor growth, processing and devices : symposium held Decmber[i.e. December] 2-5, 1991, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.797-804,  1992.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 240
5.

国際会議録
国際会議録
5. P-TYPE QUANTUM WELL INFRARED PHOTODETECTORS GROWN BY OMVPE
Hobson, W. S. ; Zussman, A. ; De Jong, J. ; Levine, B. F.
出版情報: Advanced III-V compound semiconductor growth, processing and devices : symposium held Decmber[i.e. December] 2-5, 1991, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.569-574,  1992.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 240
6.

国際会議録
国際会議録
6. CARBON DOPING OF GaAs BY OMVPE USING CCL: A COMPARISON OF GALLIUM AND ARSENIC PRECURSORS
Hobson, W. S.
出版情報: Advanced III-V compound semiconductor growth, processing and devices : symposium held Decmber[i.e. December] 2-5, 1991, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.45-50,  1992.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 240
7.

国際会議録
国際会議録
7. USE OF SELECTIVE AREA DEFECT CREATION FOR ISOLATION OF III-V MULTILAYER STRUCTURES
Pearton, S. J. ; Ren, F. ; Fullowan, T. R, ; Katz, A. ; Hobson, W. S. ; Abernaty, C. R. ; Lothian, J., R. ; D'Asaro, L. A. ; Elliman, R. G. ; Ridgway, M. C. ; Jagadish, C. ; Williams,. J. S.
出版情報: Defect engineering in semiconductor growth, processing and device technology : symposium held April 26-May 1, 1992, San Francisco, California, U.S.A..  pp.763-768,  1992.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 262
8.

国際会議録
国際会議録
8. *HYDROGEN PASSIVATION OF GaAs:C EPITAXIAL LAYERS GROWN FROM METALORGANIC SOURCES
Stavola, Michael ; Kozuch, D. M. ; Abernathy, C. R. ; Hobson, W. S.
出版情報: Advanced III-V compound semiconductor growth, processing and devices : symposium held Decmber[i.e. December] 2-5, 1991, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.75-86,  1992.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 240
9.

国際会議録
国際会議録
9. HI/H2 ECR PLASMA ETCHING OF III-V SEMICONDUCTORS
Pearton, S. J. ; Chakrabarti, U. K. ; Katz, A. ; Ren, F. ; Fullowan, T. R. ; Abernathy, C R. ; Hobson, W. S.
出版情報: Materials modification by energetic atoms and ions : symposium held April 28-30, 1992, San Francisco, California, U.S.A..  pp.17-22,  1992.  Pittsburgh, PA.  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 268
10.

国際会議録
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10. In-BASED OHMIC CONTACTS TO THE BASE LAYER OF GaAs-AlGaAs HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS
Ren, F. ; Pearton, S. J. ; Hobson, W. S. ; Fullowan, T. R. ; Emerson, A. B. ; Yanof, A. W. ; Schleich, D. M.
出版情報: Advanced metallizations in microelectronics : symposium held April 16-20, 1990, San Francisco, California, U.S.A..  pp.481-486,  1990.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 181