1.

国際会議録
国際会議録
1. Relaxed SiGe Layers With High Ge Content by Compliant Substrates
Yin, H. ; Peterson, R. L. ; Hobart, K. D. ; Shieh, S. R. ; Duffy, T. S. ; Sturm, J. C.
出版情報: Intergration of heterogeneous thin-film materials and devices : symposium held April 23-24, 2003, San Francisco, California, U.S.A..  pp.15-20,  2003.  Warrendale, PA.  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 768
2.

国際会議録
国際会議録
2. Low-Power, High Speed Sb-based HEMTs and HBTs
Mango, R. ; Boos, J. B. ; Campbell, P. M. ; Bennet, B. R. ; Glasser, E. R. ; Tinkham, B. P. ; Ancona, M. G. ; Hobart, K. D. ; Kruppa, W. ; Ikossi, K. ; Papanicolaou, N. A. ; Park, D. ; Shanabrook, B. V. ; Mittereder, J. ; Chang, W. ; Bass, R. ; Mohney, S. E. ; Wang, S. ; Robinson, J. ; Tsai, R. ; Barsky, M. ; Lange, M. D. ; Gutierrez, A.
出版情報: Proceedings of the Fourth International Symposium on Process Physics and Modeling in Semiconductor Technology.  pp.191-204,  2004.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2004-02
3.

国際会議録
国際会議録
3. Relaxed SiGe Layers With High Ge Content by Compliant Substrates
Yin, H. ; Peterson, R. L. ; Hobart, K. D. ; Shieh, S. R. ; Duffy, T. S. ; Sturm, J. C.
出版情報: CMOS front-end materials and process technology : symposium held April 22-24, 2003, San Francisco, California, U.S.A..  pp.147-152,  2003.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 765