1.

国際会議録
国際会議録
1. High Quality Thin Gate Dielectric Using ECR N2O-Plasma for Future Poly-Si TFT Applications
Lee, J.W. ; Lee, N.I. ; Han, C.H.
出版情報: Proceedings of the Third Symposium on Thin Film Transistor Technologies.  pp.79-88,  1996.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 96-23
2.

国際会議録
国際会議録
2. EFFECTS OF TEMPERATURE AND ELECTRICAL STRESS ON THE CHARACTERISTICS OF AMORPHOUS SILICON THIN-FILM TRANSISTORS
Park, J.S. ; Oh, C.H. ; Choi, H.S. ; Han, M.K. ; Choi, Y.I. ; Han, C.H.
出版情報: Amorphous silicon technology 1991 : symposium held April 30-May 3, 1991, Anaheim, California, U.S.A..  pp.345-350,  1991.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 219
3.

国際会議録
国際会議録
3. Characterization of Process-Dependent Traps in Polycrystalline Silicon Thin Film Transistors Using Charge Pumping Method
Lee, G.W. ; Yang, G.Y. ; Hur, S.H. ; Han, C.H.
出版情報: Proceedings of the Third Symposium on Thin Film Transistor Technologies.  pp.269-279,  1996.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 96-23