1.

国際会議録
国際会議録
1. Selective oxidation of n-butane to maleic anhydride over well-characterized vanadium-phosphorus mixed oxide
Misono, M. ; Miyamoto, K. ; Tsuji, K. ; Goto, T. ; Mizuno, N. ; Okuhara, T.
出版情報: New developments in selective oxidation : proceedings of an international symposium, Rimini, Italy, September 18-22, 1989.  pp.605-,  1990.  Amsterdam.  Elsevier
シリーズ名: Studies in surface science and catalysis
シリーズ巻号: 55
2.

国際会議録
国際会議録
2. *ROLE OF SURFACE AND GROWTH-ZONE REACTIONS IN THE FORMATION PROCESS OF μc-Si:H
Matsuda, A. ; Goto, T.
出版情報: Materials issues in microcrystalline semiconductors : symposium held November 29-December 1, 1989, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.3-14,  1990.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 164
3.

国際会議録
国際会議録
3. CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF SILICON BORIDES
Goto, T. ; Mukaida, M. ; Hirai, T.
出版情報: Chemical vapor deposition of refractory metals and ceramics : symposium held November 29-December 1, 1989, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.167-172,  1990.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 168