1.

国際会議録
国際会議録
1. Implant and Anneal Methods for PMOS Gates
Fiory, A.T. ; Bourdell, K ; Chen, Y. ; Ma, Y. ; McKinley, J.M. ; Lay, P.K. ; Koh, H.W.
出版情報: Rapid thermal and other short-time processing technologies II : proceedings of the international symposium.  pp.89-96,  2001.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2001-9
2.

国際会議録
国際会議録
2. Ultra-Shallow Junction Formation Using Ion Implantation and Rapid Thermal Annealing: Physical and Practical Limits
Agarwal, A. ; Gossmann, H.-J.L. ; Fiory, A.T. ; Venezia, V.C. ; Jacobson, D.C.
出版情報: Rapid thermal and other short-time processing technologies : proceedings of the international symposium.  pp.49-60,  2000.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2000-9
3.

国際会議録
国際会議録
3. Implant Dose and Spike Anneal Temperature Relationships
Bourdelle, K.K. ; Fiory, A.T. ; Gossmann, H.-J. L. ; McCoy, S.P.
出版情報: Si front-end processing -- physics and technology of dopant-defect interactions III : symposium held April 17-19, 2001, San Francisco, California, U.S.A..  2001.  Warrendale, PA.  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 669