1.

国際会議録
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1. Direct Observation of the Solid-Phase Recrystallization of Self-Implanted Amorphous SiC Layer on (11-20), (1-100), and (0001) Oriented 6H-SiC
Eryu, O. ; Matsuo, D. ; Abe, K. ; Nakashima, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.843-846,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
2.

国際会議録
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2. Effects of Surface Treatments of 6H-SiC upon Metal-SiC Interfaces
Abe, K. ; Sumitomo, M. ; Sumi, T. ; Eryu, O. ; Nakashima, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.909-912,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
3.

国際会議録
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3. Excimer Laser Annealing of Ion-Implanted 6H-Silicon Carbide
Hishida, Y. ; Watanabe, M. ; Nakashima, K. ; Eryu, O.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 1999 : ICSCRM'99, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 1999, Research Triangle Park, North Carolina, USA, October 10-15, 1999.  pp.873-876,  2000.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 338-342(2)
4.

国際会議録
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4. Improved Ohmic Contacts to 6H-SiC by Pulsed Laser Processing
Nakashima, K. ; Eryu, O. ; Ukai, S. ; Yoshida, K. ; Watanabe, M.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 1999 : ICSCRM'99, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 1999, Research Triangle Park, North Carolina, USA, October 10-15, 1999.  pp.1005-1008,  2000.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 338-342(2)
5.

国際会議録
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5. Impurity Activation in N+ Ion-Implanted 6H-SiC with Pulsed Laser Annealing Method
Eryu, O. ; Aoyama, K. ; Abe, K. ; Nakashima, K.
出版情報: Silicon carbide--materials, processing and devices : symposium held November 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A..  2001.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 640
6.

国際会議録
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6. Effects of Surface Treatments of 6H-SiC upon Metal-SiC Interfaces
Abe, K. ; Sumitomo, M. ; Sumi, T. ; Eryu, O. ; Nakashima, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.909-912,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
7.

国際会議録
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7. A New Type of SiC Gas Sensor with a pn-Junction Structure
Nakashima, K. ; Okuyama, Y. ; Ando, S. ; Eryu, O. ; Abe, K. ; Yokoi, H. ; Oshima, T.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.1427-1430,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
8.

国際会議録
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8. A New Type of SiC Gas Sensor with a pn-Junction Structure
Nakashima, K. ; Okuyama, Y. ; Ando, S. ; Eryu, O. ; Abe, K. ; Yokoi, H. ; Oshima, T.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.1427-1430,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
9.

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9. Direct Observation of the Solid-Phase Recrystallization of Self-Implanted Amorphous SiC Layer on (11-20), (1-100), and (0001) Oriented 6H-SiC
Eryu, O. ; Matsuo, D. ; Abe, K. ; Nakashima, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.843-846,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
10.

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10. Annealing of a Vacancy-Type Defect and Diffusion of Implanted Boron in 6H-SiC
Ohshima, T. ; Uedono, A. ; Eryu, O. ; Lee, K.K. ; Abe, K. ; Itoh, H. ; Nakashima, K.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2002 : ECSCRM2002, proceedings of the 4th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, September 2-5, 2002, Linköping, Sweden.  pp.633-636,  2003.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 433-436