1.

国際会議録
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1. Si MBE ON H-PASSIVATED Si(100)
Eaglesham, D.J. ; Unterwald, F.C. ; Luftman, H.
出版情報: Chemical surface preparation, passivation, and cleaning for semiconductor growth and processing : symposium held April 27-29, 1992, San Francisco, California, U.S.A..  pp.439-442,  1992.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 259
2.

国際会議録
国際会議録
2. EPITAXY AND NUCLEATION IN Cu AND Ag DOPED AMORPHOUS Si
Custer, J.S. ; Thompson, Michael O. ; Eaglesham, D.J. ; Jacobson, D.C. ; Poate, J.M. ; Liefting, J.R. ; Saris, F.W.
出版情報: Kinetics of phase transformations : symposium held November 26-29, 1990, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.69-74,  1992.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 205
3.

国際会議録
国際会議録
3. *AN INTERFACIAL PHASE TRANSFORMATION IN CoSi2/Si (111)
Eaglesham, D.J. ; Tung, R.T. ; Headrick, R.L. ; Robinson, I.K. ; Schrey, F.
出版情報: Atomic scale structure of interfaces : symposium held November 27-29, 1989, Boston Massachusetts, U.S.A..  pp.141-146,  1990.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 159
4.

国際会議録
国際会議録
4. CORRELATION OF ELECTRICAL, STRUCTURAL, AND OPTICAL PROPERTIES OF ERBIUM IN SILICON
Benton, J.L. ; Eaglesham, D.J. ; Almonte, M. ; Citrin, P.R. ; Marcus, M.A. ; Adler, D.L. ; Jacobson, D.C. ; Poate, J.M.
出版情報: Silicon-based optoelectronic materials : Symposium held April 12-14, 1993, San Francisco, California, U.S.A..  pp.447-452,  1993.  Pittsburgh, PA.  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 298
5.

国際会議録
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5. Mechanistic Studies of Silicon Wafer Bonding and Layer Exfoliation
Weldon, M.K. ; Marsico, V.E. ; Chabal, Y.J. ; Agarwal, A. ; Eaglesham, D.J. ; Sapjeta, J. ; Brown, W.L. ; Jacobson, D.C. ; Caudano, Y. ; Christman, S.B. ; Chaban, E.E.
出版情報: Proceedings of the Fourth International Symposium on Semiconductor Wafer Bonding : science, technology, and applications.  pp.229-248,  1997.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 97-36
6.

国際会議録
国際会議録
6. HIGH ENERGY IMPLANTATION OF BORON: REDUCTION OF THREADING DISLOCATION DENSITY IN THE BAD DOSE REGION
Bourdelle, K.K. ; Eaglesham, D.J. ; Jacobson, D.C. ; Agarwal, A.
出版情報: Silicon materials science and technology : proceedings of the Eighth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.1241-1249,  1998.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 98-1(2)
7.

国際会議録
国際会議録
7. EVALUATION OF PHYSICAL AND ELECTRICAL PROPERTIES OF MOLYBDENUM IN SILICON FOR IC PROCESSING
Benton, J.L. ; Jacobson, D.C. ; Jackson, B. ; Johnson, J.A. ; Eaglesham, D.J. ; Stevie, A. ; Becerro, J.
出版情報: Silicon materials science and technology : proceedings of the Eighth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.1213-1223,  1998.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 98-1(2)
8.

国際会議録
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8. BORON-ENHANCED-DIFFUSION OF BORON FROM ULTRA- LOW-ENERGY BORON IMPLANTATION
Agarwal, A. ; Eaglesham, D.J. ; Gossmann, H.-J. ; Pelaz, L. ; Herner, S.B. ; Jacobson, D.C. ; Haynes, T.E. ; Erokhin, Yu E.
出版情報: Silicon materials science and technology : proceedings of the Eighth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.1232-1240,  1998.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 98-1(2)
9.

国際会議録
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9. MOLECULAR BEAM EPITAXY OF LOW TEMPERATURE GROWN GaAs PHOTOCONDUCTORS
Dykaar, D.R. ; Eaglesham, D.J. ; Keil, U.D. ; Greene, B.I. ; Saeta, P.N. ; Pfeiffer, L.N. ; Kopf, R.F. ; Darack, S.B. ; West, K.W.
出版情報: Low temperature (LT) GaAs and related materials : symposium held December 4-6, 1991, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.245-250,  1992.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 241
10.

国際会議録
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10. TOPOGRAPHY OF Si (111): CLEAN SURFACE PREPARATION AND SILICON MOLECULAR BEAM EPITAXY
Tung, R.T. ; Schrey, F. ; Eaglesham, D.J.
出版情報: Atomic scale structure of interfaces : symposium held November 27-29, 1989, Boston Massachusetts, U.S.A..  pp.321-326,  1990.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 159