1.

国際会議録
国際会議録
1. Cryogenic Operation of Fully-Depleted SOI nFETs
Li, Y. ; Cressler, J.D. ; Niu, G. ; Patel, J.
出版情報: Silicon-on-Insulator Technology and Devices X : proceedings of the tenth International Symposium.  pp.127-132,  2001.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2001-3
2.

国際会議録
国際会議録
2. Design and Characterization of 2.5kV 4H-SiC JBS Rectifiers with Self-Aligned Guard Ring Termination
Sheridan, D.C. ; Merrett, J. N. ; Cressler, J.D. ; Saddow, S.E. ; Williams, J.R. ; Ellis, C. ; Niu, G.
出版情報: Silicon carbide and related materials : ECSCRM2000, proceedings of the 3rd European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Kloster Banz, Germany, September 2000.  pp.687-690,  2001.  Uetikon-Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 353-356