1.

国際会議録
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1. Potential for Silicon-Germanium-Carbon HBT Operation at Cryogenic Temperatures
Jayanarayanan, S. ; Cressler, J.D. ; Richey, D.M.
出版情報: Proceedings of the fourth Symposium on Low Temperature Electronics and High Temperature Superconductivity.  pp.240-245,  1997.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 97-2
2.

国際会議録
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2. The Effects of Neutron Irradiation on the cryogenic Properties of UHV/CVD SiGe HBTs
Roldan, J.M. ; Cressler, J.D. ; Nguyen-Ngoc, D. ; Clark, S.D.
出版情報: Proceedings of the fourth Symposium on Low Temperature Electronics and High Temperature Superconductivity.  pp.246-253,  1997.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 97-2
3.

国際会議録
国際会議録
3. Prospects for the Cryogenic Operation of Silicon-Germanium Technology
Cressler, J.D.
出版情報: Proceedings of the fourth Symposium on Low Temperature Electronics and High Temperature Superconductivity.  pp.215-231,  1997.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 97-2
4.

国際会議録
国際会議録
4. Operation of Silicon-Germanium CMOS on Sapphire Technology at Cryogenic Temperatures
Mathew, S.J. ; Dubbelday, W.B. ; Cressler, J.D. ; Ott, J. ; Chu, J.O. ; Meyerson, B.S. ; Kavanagh, K.L. ; Lagnado, I.
出版情報: Proceedings of the fourth Symposium on Low Temperature Electronics and High Temperature Superconductivity.  pp.270-278,  1997.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 97-2
5.

国際会議録
国際会議録
5. Ge Profile Optimization Issues for Cryogenically Operated SiGe HBTs
Joseph, A.J. ; Cressler, J.D.
出版情報: Proceedings of the fourth Symposium on Low Temperature Electronics and High Temperature Superconductivity.  pp.232-239,  1997.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 97-2
6.

国際会議録
国際会議録
6. Status and Trends in the Cryogenic Operation of SiGe Bipolar Technology
Cressler, J.D.
出版情報: Proceedings of the Symposium on Low Temperature Electronics and High Temperature Superconductivity.  pp.159-177,  1995.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 95-9
7.

国際会議録
国際会議録
7. Low-Temperature Modeling of SiGe HBTs Using SCORPIO
Richey, D.M. ; Cressler, J.D. ; Joseph, A.J. ; Jaeger, R.C.
出版情報: Proceedings of the Symposium on Low Temperature Electronics and High Temperature Superconductivity.  pp.178-188,  1995.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 95-9
8.

国際会議録
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8. Operation of SiGe BICMOS Technology at Cryogenic Temperatures
Bradford, G.D. ; Cressler, J.D. ; Harame, D.L.
出版情報: Proceedings of the Symposium on Low Temperature Electronics and High Temperature Superconductivity.  pp.189-198,  1995.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 95-9
9.

国際会議録
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9. Temperature Dependence of Early Voltage and Current Gain-Early Voltage Product in SiGe HBTs
Joseph, A.J. ; Cressler, J.D. ; Richey, D.M. ; Harame, D.L.
出版情報: Proceedings of the Symposium on Low Temperature Electronics and High Temperature Superconductivity.  pp.211-220,  1995.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 95-9
10.

国際会議録
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10. The Effects of Ionizing Radiation on SiGe HBTs Operated at 77 K
Babcock, J.A. ; Cressler, J.D. ; Clark, S.D. ; Vempati, L.S. ; Harame, D.L.
出版情報: Proceedings of the Symposium on Low Temperature Electronics and High Temperature Superconductivity.  pp.221-232,  1995.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 95-9