1.

国際会議録
国際会議録
1. FORMATION OF BURIED IRIDIUM SILICIDE LAYER IN SILICON BY HIGH DOSE IRIDIUM ION IMPLANTATION
Yu, K. M. ; Katz, B,. ; Wu, I. C. ; Brown, I. G.
出版情報: Ion beam processing of advanced electronic materials : symposium held April 25-27, 1989, San Diego, California, U.S.A..  pp.229-234,  1989.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 147
2.

国際会議録
国際会議録
2. PLASMA IMMERSION ION IMPLANTATION FOR IMPURITY GETTERING IN SILICON
Wong, H. ; Qian, X. Y. ; Cheung, N. W. ; Lieverman, M. A. ; Brown, I. G. ; Yu, K. M.
出版情報: Ion beam processing of advanced electronic materials : symposium held April 25-27, 1989, San Diego, California, U.S.A..  pp.91-96,  1989.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 147
3.

国際会議録
国際会議録
3. ION BEAM MODIFICATION OF THE Y-Ba-Cu-O SYSTEM WITH THE MEVVA HIGH CURRENT METAL ION SOURCE
Brown, I. G. ; Rubin, M. D. ; Yu, K. M. ; Mutikainen, R. ; Cheung, N. W.
出版情報: Ion beam processing of advanced electronic materials : symposium held April 25-27, 1989, San Diego, California, U.S.A..  pp.391-396,  1989.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 147