1.

国際会議録
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1. PREPARATION AND ELECTROCHEMICAL CHARACTERIZATION OF TRANSITION METAL OXIDE PARTICLES PREPARED IN SUPERCRITICAL WATER.
Kanamura, K. ; Umegaki, T. ; Toyoshima, K. ; Okada, K.-I. ; Hakuta, Y. ; Adschiri, T. ; Arai, K.
出版情報: Intercalation compounds for battery materials : proceedings of the international symposium.  pp.407-415,  1999.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 99-24
2.

国際会議録
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2. Effects of Chemical Substances on Electrical Potential Oscillation Across an Octanol Liquid Membrane
Arai, K. ; Fukuyama, S. ; Kusu, F. ; Takamura, K.
出版情報: Proceedings of the fifth International Symposium on Redox Mechanisms and Interfacial Properties of Molecules of Biological Importance 1993.  pp.333-342,  1993.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 1993-11
3.

国際会議録
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3. N+ -P JUNCTION LEAKAGE CURRENT GENERATED BY MICRO- DEFECTS IN DENUDED ZONE OF 64Mb DRAM SILICON SUBSTRATES
Horikawa, M. ; Mizutani, T. ; Suzuki, T. ; Arai, K.
出版情報: Proceedings of the Seventh International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.987-996,  1994.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 1994-10
4.

国際会議録
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4. Operational Design for Startup and Shutdown of Chemical Plants Based on a Topological Approach
YUJINAKA, R. Batres ; Adriani, A. ; Arai, K. ; Lu, M.L. ; Pradubsripetch, D. ; Lee, S. ; Yamada, I.
出版情報: AIChE 1995 SPRING MEETING -HOUSTON, TX- MARCH 19-23, 1995.  1995.  New York.  American Institute of Chemical Engineers
シリーズ名: AIChE meeting [papers]
シリーズ巻号: 1995
5.

国際会議録
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5. Behavior of Plutonium Interacting With Bentonite and Sulfate-Reducing Anaerobic Bacteria
Kudo, A. ; Zheng, J. ; Cayer, I. ; Fujikawa, Y. ; Asano, H. ; Arai, K. ; Yoshikawa, H. ; Ito, M.
出版情報: Scientific basis for nuclear waste management XX : symposium held December 2-6, 1996, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.879-,  1997.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 465
6.

国際会議録
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6. A formation of SiO2/4H-SiC interface by oxidizing deposited poly-Si and high-temperature hydrogen annealing
Fukuda, H. ; Sakamoto, K. ; Nagai, K. ; Sekigawa, T. ; Yoshida, S. ; Arai, K.
出版情報: Wide-bandgap semiconductors for high-power, high-frequency, and high temperature applications--1999 : symposium held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A..  pp.105-,  1999.  Warrendale, PA.  MRS-Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 572
7.

国際会議録
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7. Resistivity Reduction of Thin Polycrystalline Silicon Films Crystallized from In Situ Phosphorus-Doped Amorphous Silicon Deposited Using Silane or Disilane
Oguro, S. ; Shishiguchi, S. ; Arai, K.
出版情報: ULSI science and technology, 1995 : proceedings of the Fifth International Symposium on Ultra Large Scale Integration Science and Technology.  pp.504-511,  1995.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 95-5
8.

国際会議録
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8. Defects induced by heavy-metal on bonded SOI wafer surfaces
Okonogi, K. ; Kikuchi, H. ; Arai, K.
出版情報: Proceedings of the Sixth International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices.  pp.38-43,  1994.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 1994-11
9.

国際会議録
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9. Oxygen Precipitate Distribution in Bonded SOI Wafers
Okonogi, K. ; Kikuchi, H. ; Arai, K.
出版情報: Proceedings of the Third International Symposium on Semiconductor Wafer Bonding : physics and applications.  pp.290-295,  1995.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 95-7
10.

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10. Growth Rate of S-Carboxymethyl-D-cysteine and Its Optical Resolution
Yokota, M. ; Oguchi, T. ; Arai, K. ; Toyokura, Ken ; Inoue, C. ; Naijyo, H.
出版情報: Crystallization as a separations process.  pp.271-,  1990.  Washington, DC.  American Chemical Society
シリーズ名: ACS symposium series
シリーズ巻号: 438