High Performance Organic Field-Effect Transistors with High-k Insulator Deposited Directly onto the Organic Semiconductor — 原子層堆積法を用いて製膜した極薄絶縁層を用いた有機電界効果トランジスタ | 東京工業大学附属図書館文献データベース

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原子層堆積法を用いて製膜した極薄絶縁層を用いた有機電界効果トランジスタ
High Performance Organic Field-Effect Transistors with High-k Insulator Deposited Directly onto the Organic Semiconductor

著者名:

掲載資料名:

真空 : journal of the Vacuum Society of Japan

発行年:

2015

巻:

58

号:

3

開始ページ:

104

終了ページ:

108

総ページ数:

5

出版情報:

東京: 真空協会

ISSN:

18822398

言語:

日本語

資料種別:

学術雑誌

詳細

TDL書誌ID:	ZA00066506
論文注記:	小特集:真空プロセスで創る有機デバイス研究・開発の最前線. 解説

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