Observation of Adsorbed Water on Ultrathin GeO2/Ge(100) by Ambient-Pressure X-ray Photoelectron Spectroscopy (AP-XPS) — 極薄 GeO2/Ge(100) 上に形成された吸着水の準大気圧下でのX線光電子分光観察 | 東京工業大学附属図書館文献データベース

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極薄 GeO₂/Ge(100) 上に形成された吸着水の準大気圧下でのX線光電子分光観察
Observation of Adsorbed Water on Ultrathin GeO₂/Ge(100) by Ambient-Pressure X-ray Photoelectron Spectroscopy (AP-XPS)

著者名:

掲載資料名:

真空 : journal of the Vacuum Society of Japan

発行年:

2015

巻:

58

号:

1

開始ページ:

20

終了ページ:

26

総ページ数:

7

出版情報:

東京: 真空協会

ISSN:

18822398

言語:

日本語

資料種別:

学術雑誌

詳細

TDL書誌ID:	ZA00066506
論文注記:	小特集:半導体表面における極薄膜形成プロセス (1). 解説

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