Epitaxial Layer Thickness Dependence on Heavy Ion Induced Charge Collection in 4H-SiC Schottky Barrier Diodes

著者名:

• T. Makino
• S. Onoda
• N. Hoshino
• H. Tsuchida
• T. Ohshima

掲載資料名:

Silicon Carbide and Related Materials 2015 : [ICSCRM 2015] : selected, peer reviewed papers from the 16th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, October 4-9, 2015, Giardini Naxos, Italy

シリーズ名:

Materials science forum

シリーズ巻号:

858

発行年:

2016

開始ページ:

753

終了ページ:

756

総ページ数:

4

出版情報:

Aedermannsdorf, Switzerland: Trans Tech Publications

ISSN:

02555476

ISBN:

9783035710427 [3035710422]

言語:

英語

請求記号:

M23650 [v.858]

資料種別:

国際会議録