Growth Rate and Surface Morphology of 4H-SiC Single Crystal Grown under Various Supersaturations Using Si-C Solution

著者名:

• N. Komatsu
• T. Mitani
• T. Takahashi
• M. Okamura
• T. Kato

掲載資料名:

Silicon carbide and related materials 2012 : selected, peer reviewed papers from the 9th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2012), September 2-6,2012, St. Petersburg, Russian Federation

シリーズ名:

Materials science forum

シリーズ巻号:

740-742

発行年:

2013

開始ページ:

23

終了ページ:

26

総ページ数:

4

出版情報:

Aedermannsdorf, Switzerland: Trans Tech Publications

ISSN:

02555476

言語:

英語

請求記号:

M23650

資料種別:

国際会議録