Transient Response to High Energy Heavy Ions in 6H-SiC n⁺p Diodes

著者名:

• S. Onoda
• T. Ohshima
• T. Hirao
• S. Hishiki
• N. Iwamoto

掲載資料名:

Silicon carbide and related materials 2007 : selected peer reviewed papers from the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2007, Otsu Prince Hotel Covention Hall, Lake Biwa Resort, Otsu, Japan, October 14-19, 2007

シリーズ名:

Materials science forum

シリーズ巻号:

600-603

発行年:

2009

パート:

2

開始ページ:

1039

終了ページ:

1042

総ページ数:

4

出版情報:

Aedermannsdorf, Switzerland: Trans Tech Publications

ISSN:

02555476

言語:

英語

請求記号:

M23650

資料種別:

国際会議録