Reduction of Interface Traps and Enhancement of Channel Mobility in n-Channel 6H-SiC MOSFETs by Irradiation with Gamma-Rays

著者名:

• S. Hishiki
• S.A. Reshanov
• T. Ohshima
• H. Itoh
• G. Pensl

掲載資料名:

Silicon carbide and related materials 2007 : selected peer reviewed papers from the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2007, Otsu Prince Hotel Covention Hall, Lake Biwa Resort, Otsu, Japan, October 14-19, 2007

シリーズ名:

Materials science forum

シリーズ巻号:

600-603

発行年:

2009

パート:

2

開始ページ:

703

終了ページ:

706

総ページ数:

4

出版情報:

Aedermannsdorf, Switzerland: Trans Tech Publications

ISSN:

02555476

言語:

英語

請求記号:

M23650

資料種別:

国際会議録