Epitaxial Growth and Characterization of 4H-SiC(11-20) and (03-38)
- 著者名:
Kimoto, T. Hashimoto, K. Fujihira, K. Danno, K. Nakamura, S. Negoro, Y. Matsunami, H. - 掲載資料名:
- Silicon carbide 2002 -- materials, processing and devices : symposium held December 2-4, 2002, Boston, Massachusetts, U.S.A.
- シリーズ名:
- Materials Research Society symposium proceedings
- シリーズ巻号:
- 742
- 発行年:
- 2003
- 開始ページ:
- 3
- 終了ページ:
- 14
- 総ページ数:
- 12
- 出版情報:
- Warrendale, Pa.: Materials Research Society
- ISSN:
- 02729172
- ISBN:
- 9781558996793 [1558996796]
- 言語:
- 英語
- 請求記号:
- M23500/742
- 資料種別:
- 国際会議録
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国際会議録
High-Speed Growth of High-Purity Epitaxial Layers with Specular Surface on 4H-SiC(000-1) Face
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