Influence of Post-Oxidation Annealing on Electrical Characteristics in 6H-SiC MOSFETs

著者名:

Ohshima, T.

Yoshikawa, M.

Itoh, H.

Kojima, K.

Okada, S.

Nashiyama, I.

さらに 1 件

掲載資料名:

Silicon carbide and related materials - 1999 : ICSCRM'99, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 1999, Research Triangle Park, North Carolina, USA, October 10-15, 1999

シリーズ名:

Materials science forum

シリーズ巻号:

338-342(2)

発行年:

2000

開始ページ:

1299

終了ページ:

1302

総ページ数:

4

出版情報:

Zuerich, Switzerland: Trans Tech Publications

ISSN:

02555476

ISBN:

9780878498543 [0878498540]

言語:

英語

請求記号:

M23650

資料種別:

国際会議録