Blank Cover Image

Modeling of the Leakage Drain Current in Accumulation-Mode SOI pMOSFETs for High-Temperature Applications

著者名:
掲載資料名:
Silicon-on-Insulator Technology and Devices X : proceedings of the tenth International Symposium
シリーズ名:
Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号:
2001-3
発行年:
2001
開始ページ:
233
終了ページ:
238
総ページ数:
6
出版情報:
Pennington, N.J.: Electrochemical Society
ISSN:
01616374
ISBN:
9781566773096 [1566773091]
言語:
英語
請求記号:
E23400/2001-3
資料種別:
国際会議録

類似資料:

Bellodi, M, Martino, J A

Electrochemical Society

Bellodi, M., Martino, J.A.

Electrochemical Society

Bellodi, M., Martino, J. A.

Electrochemical Society

Iniguez, B., Rauly, F., Flandre, D.

Electrochemical Society

Bellodi, M., Martino, J.A.

Electrochemical Society

Dessard, V., Iniguez, B., Adriaensen, S., Flandre, D.

Kluwer Academic Publishers

Bellodi, Marcello, Martino, Joao Antonio

Electrochemical Society

Souza, M., Pavanello, M. A., Iniguez, B., Flandre, D.

Electrochemical Society

Bellodi, M., Martino, J.A.

Electrochemical Society

M. Bellodi, L.M. Almeida

Electrochemical Society

1
 
2
 
3
 
4
 
5
 
6
 
7
 
8
 
9
 
10
 
11
 
12