Scaling of Gate Dielectrics for Advanced CMOS Applications

著者名:

Ma, T.-P.  

掲載資料名:

The physics and chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 interface-4, 2000 : proceedings of the fourth International Symposium on the Physics and Chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 Interface, Tronto, Canada, May 15-18, 2000

シリーズ名:

Electrochemical Society Proceedings Series

シリーズ巻号:

2000-2

発行年:

2000

開始ページ:

19

終了ページ:

32

総ページ数:

14

出版情報:

Pennington, N.J.: Electrochemical Society

ISSN:

01616374

ISBN:

9781566772679 [1566772672]

言語:

英語

請求記号:

E23400/2000-2

資料種別:

国際会議録