Silicon Oxidation Kinetics - From Deal-Grove to VLSI Process Models

著者名:

Plummer, J.D.  

掲載資料名:

The physics and chemistry of SiO[2] and the Si-SiO[2] interface-3, 1996 : proceedings of the Third International Symposium on the Physics and Chemistry of SiO[2] and the Si-SiO[2] Interface

シリーズ名:

Electrochemical Society Proceedings Series

シリーズ巻号:

96-1

発行年:

1996

開始ページ:

129

終了ページ:

142

総ページ数:

14

出版情報:

Pennington, NJ: Electrochemical Society

ISSN:

01616374

ISBN:

9781566771511 [156677151X]

言語:

英語

請求記号:

E23400/962115

資料種別:

国際会議録