The Solubility and Defect Equilibrium on the n-Type Dopants Nitrogen and Phosphorus in 4H-SiC: A Theoretical Study

著者名:

• Bockstedte, M.
• Mattausch, A.
• Pankratov, O.

掲載資料名:

Silicon carbide and related materials 2003 : ICSCRM, 2003 : proceedings of the 10th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003, Lyon, France, October 5-10, 2003

シリーズ名:

Materials science forum

シリーズ巻号:

457-460

発行年:

2004

開始ページ:

715

終了ページ:

718

総ページ数:

4

出版情報:

Uetikon-Zuerich: Trans Tech Publications

ISSN:

02555476

ISBN:

9780878499434 [0878499431]

言語:

英語

請求記号:

M23650

資料種別:

国際会議録