Impurity Incorporation During Sublimation Bulk Crystal Growth of 6H- and 4H-SiC

著者名:

Ohtani,N.

Katsuno,M.

Takahashi,J.

Yashiro,H.

Kanaya,M.

Shinoyama,S.

さらに 1 件

掲載資料名:

Silicon carbide, III-nitrides and related materials, ICSCIII-N'97 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials, Stockholm, Sweden, September 1997

シリーズ名:

Materials science forum

シリーズ巻号:

264-268

発行年:

1998

巻:

Part1

開始ページ:

49

終了ページ:

52

出版情報:

Zuerich, Switzerland: Trans Tech Publications

ISSN:

02555476

ISBN:

9780878497911 [0878497919]

言語:

英語

請求記号:

M23650

資料種別:

国際会議録