Positron annihtlation and scanning tunneling microscopy used to characterise defects in highly Si-doped GaAs.(Invited)

著者名:

• Gebauer,J.
• Krause-Rehberg,R.
• Domke,C.
• Ebert,Ph.
• Urban,K.

掲載資料名:

Defects in semiconductors, icds-19 : proceedings of the 19th International Conference on Defects in Semiconductors, Aveiro, Portugal, July 1997

シリーズ名:

Materials science forum

シリーズ巻号:

258-263

発行年:

1997

巻:

Part2

開始ページ:

885

終了ページ:

892

出版情報:

Zurich, Switzerland: Trans Tech Publications

ISSN:

02555476

ISBN:

9780878497881 [0878497889]

言語:

英語

請求記号:

M23650

資料種別:

国際会議録